IT之家7月19日消息，中百思特网科院微电子所今日发文，微电子所刘明院士团队提出一种基于TiN的非丝型自选电阻式存储器//TiOx/NbOx/Ru 结构。 并在16层立体垂直结构上实现。

据介绍，该存储器实现了通态电流密度提高50倍，并实现了高非线性度（>5000）。 TiOx内部峰势垒的形成有效改善了器件的非线性。 第一性原理计算结果表明，Nb2O5的氧空位聚集能百思特网为正，这表明氧空位不易聚百思特网集，器件可以在较高电流下工作而不被击穿，从而实现高电流密度。

▲图（a）16层3D垂直RRAM的TEM截面图，图（b）IV特性曲线

中科院微电子研究所表示，由于电流增加，器件的读取延迟缩短至18ns。 这项工作为实现高速、高密度的3D VRRAM提供了一种可能的途径。

IT之家查询获悉，该成果入选2023年VLSI，标题为“16-layer 3D RRAM with Low Read (18ns), High (>5000) and Ultra-low (~pA) Self-Cells”。 微电子所博士生丁亚欣为第一作者，微电子所罗清研究员和华中科技大学薛侃浩教授为通讯作者。

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