据 IT之家 6 月 26 日消息，日本电容器（MLCC）大厂村田制作所近日宣布，计划到 2028 年在日本金泽村田制作所、仙台村田制作所以及芬兰子公司合计投资约 100 亿美元。日元（IT之家注：目前约为5.02亿元人民币），将硅电容器产能扩大至三倍。

▲村田制作所制造的硅电容器

目前硅电容器的应用仅限于医疗设备，但未来有望扩展到智能手机和服务器等应用。 村田制作所希百思特网望通过投资和增产，及时捕捉更多的市场需求。

硅电容器采用半导体制造技术制造，其介质层为稳定性较好的硅材料。 与目百思特网前主流电容器相比，硅电容器具有更好的电容密度、可靠性和高频特性。 老化时间可长达10年，其额定温度甚至可​​高达250℃，在恶劣环境下具有更好的性能。 表现。

但目前硅电容的价格是普通MLCC的数十倍，因此其应用范围集中在高附加值、对成本不敏感的尖端医疗设备等领域。 不过，考虑到硅百思特网电容在轻薄方面的优势，对于内部空间日益捉襟见肘的智能手机来说，硅电容也是相当不错的选择。 村田的硅电容器可以薄至0.05mm。

今年3月，村田制作所宣布，到2024年将向其法国子公司投资约5000万欧元（目前约为3.92亿元人民币），以增加硅电容器的产能。 村田制作所的投资计划将在两家日本工厂和一家芬兰子公司建立相同的生产系统，实现硅电容器的全球供应。